特点： ·探测器室设计标准安装尺寸，可与我公司的相关产品配套使用 ·其中7ID219采用日本进口滨松器件，7ID230采用国产高性能器件

技术参数： 型号名称 (Model) 7ID219紫外增强型硅探测器 7ID230普及型硅探测器 感光面积(Active Area) 100(10×10) mm2 100(10×10) mm2 波长使用范围(Spectral Range) 190-1100 nm 300-1100 nm 峰值波长(Peak Wavelength) 960 nm 800±20 nm 峰值波长响应度(Peak Re) 0.5 A/W >0.4 A/W 200nm的响应度(200nm Re) 0.1-0.12 A/W ------- 响应时间(Re Time) 3µs ------- 工作温度范围(Working Temperature) -20～+60℃ ------- 储存温度范围(Store Temperature) -20～+80℃ ------- 分流电阻 (Shunt Resistance) RSH 200(>50) MΩ ------- 等效噪声功率NEP 1.8×10-14W/√Hz ------- 暗电流(Dark Current )(25℃；-1V) 2×10-10 A 1×10-8-5×10-11 A 结电容(Terminal Capacitance) 1100 pf（VR =0V,f=10KHz） <3000 pf (-10V) 重量(Weight) 0.18kg 0.18kg 光谱响应参考图：